RGW 650-V-Field-Stop-Trench-IGBTs

Die RGW 650-V-Field-Stop-Trench-IGBTs von ROHM Semiconductor bieten eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung in einem kleinen Gehäuse. Die RGW-IGBTs zeichnen sich durch hohe Schaltgeschwindigkeiten, niedrige Schaltverluste und eine eingebaute, sehr schnelle und weiche Rückspeisung FRD aus. Die ROHM RGW 650-V-Field-Stop-Trench-IGBTs sind ideal für Solar-Wechselrichter, USV, Schweiß-, IH- und PFC-Anwendungen.

Ergebnisse: 42
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
Datenblatt
Produkt-Kommentare
450Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 132 A 348 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 450
Mult.: 450

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 45 A 89 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 450
Mult.: 450

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 45 A 89 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
Datenblatt
Produkt-Kommentare
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 450
Mult.: 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 96 A 254 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
Datenblatt
Produkt-Kommentare
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 450
Mult.: 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 96 A 254 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
Datenblatt
Produkt-Kommentare
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 450
Mult.: 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 96 A 254 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO3P 650V 16A TRNCH
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 450
Mult.: 450

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 27 A 61 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
Datenblatt
Produkt-Kommentare
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 450
Mult.: 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 64 A 178 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
Datenblatt
Produkt-Kommentare
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 450
Mult.: 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 64 A 178 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
Datenblatt
Produkt-Kommentare
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 450
Mult.: 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 64 A 178 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
Datenblatt
Produkt-Kommentare
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 450
Mult.: 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 80 A 214 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
Datenblatt
Produkt-Kommentare
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 450
Mult.: 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 80 A 214 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 650V 50A TRNCH
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 88 A 245 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 650V 50A TRNCH
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 88 A 245 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 650V 40A TRNCH
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 71 A 202 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 650V 60A TRNCH
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 104 A 288 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs Transistor IGBT, 650V 75A, TO-247N
Datenblatt
Produkt-Kommentare
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 450
Mult.: 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 132 A 348 W - 40 C + 175 C Tube