CGHV27030S

MACOM
941-CGHV27030S
CGHV27030S

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt

ECAD Model:
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MACOM
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
DFN-12
N-Channel
150 V
3.6 A
- 3 V
- 40 C
+ 150 C
12 W
Marke: MACOM
Konfiguration: Single
Verstärkung: 21 dB
Maximale Drain-Gate-Spannung: 50 V
Maximale Betriebsfrequenz: 2.7 GHz
Mindestbetriebsfrequenz: 0 Hz
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Ausgangsleistung: 30 W
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Verpackung: MouseReel
Produkt-Typ: GaN FETs
Verpackung ab Werk: 250
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: GaN HEMT
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung: - 10 V, 2 V
Gewicht pro Stück: 282,130 mg
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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

CGHV27030S GaN-HEMT

Der 30 W Gallium-Nitrid (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) CGHV27030S von Wolfspeed bietet hohe Bandbreitenkapazitäten sowie einen hohen Wirkungsgrad mit hoher Verstärkung. Im Betrieb bei 6,0 GHz Gleichstrom bietet der CGHV27030S eine Verstärkung von 21 dB, -36 dBc ACLR und 32 % Wirkungsgrad bei 5 W PAVE. Der Transistor kann entweder mit einer 28 V- oder einer 50 V-Schiene betrieben werden. Der CGHV27030S kann auch einen hohen Grad von ADP- und DPD-Korrektur anwenden. Der GaN-HEMT CGHV27030S eignet sich gut für 700–960 MHz, 1.200–1.400 MHz, 1.800–2.200 MHz, 2.500–2.700 MHz und 3.300–3.700 MHz Telekommunikationsapplikationen, die sowohl mit 28 V als auch 50 V betrieben werden können. Das Gerät ist auch ideal für 20–2500 MHz taktische Kommunikationsapplikationen, L-Band-Radar und S-Band-Radar.
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