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SIA427DJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA427DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIA427DJ-T1-GE3
Price: 0.92 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

781-SIA427DJ-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIA427DJ-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs 8V 12A 19W 13mohms @ 4.5V

Datenblatt:

SIA427DJ-T1-GE3 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,929	€ 0,93
	€ 0,664	€ 6,64
	€ 0,413	€ 41,30
	€ 0,285	€ 142,50
	€ 0,253	€ 253,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,215	€ 645,00
	€ 0,184	€ 1.104,00
	€ 0,171	€ 1.539,00
	€ 0,154	€ 3.696,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SC-70-6
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	8 V
Id - Drain-Gleichstrom:	12 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	95 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, 5 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	800 mV
Qg - Gate-Ladung:	50 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	19 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	SIA
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	SIA427DJ-GE3
Gewicht pro Stück:	11,688 g

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Datenblatt

SIA427DJ-T1-GE3 Datenblatt (PDF)

PCN

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

SiA427DJ 8V TrenchFET Leistungs-MOSFETs

Vishay Siliconix SiA427DJ 8V TrenchFET® Leistungs-MOSFETs haben den niedrigsten On-Widerstand für ein p-Kanal-Gerät in einem thermisch erweiterten PowerPAK® SC-70 mit 2mm mal 2mm Auflagefläche. Der On-Widerstand des Vishay Siliconix Si427DJ ist bis zu 47% niedriger als bei den konkurrenzfähigsten p-Kanal-Geräten. Das 1,2V niedrige On-Widerstand-Rate der SiA427DJ TrenchFET Leistungs-MOSFETs macht sie zur idealen Wahl für niedrige Bus-Spannungen. Anwendungen, die einen 1,2V Leistungs-Bus verwenden, profitieren ebenfalls vom niedrigen On-Widerstand der MOSFETs bei 1,5V und 1,8V, wenn Hauptspannungen schwanken und ermöglichen dem SiA427DJ die insgesamt beste Stromeinsparung zu liefern. Das extrem kleine PowerPAK SC-70-Gehäuse des Vishay Siliconix SiA427DJ wurde für kleine elektronische Handgeräte optimiert. Es ist ideal für Lastschalter in Mobiltelefone, Smartphones, MP3-Playern, Digitalkameras usw.