Low Latency DRAMs

GSI Technology Low Latency DRAMs are ideal for advanced data networking applications with a low random cycle time and eight-bank memory array architecture. GSI Technology Low Latency DRAMs have double data rate transfers for performance unmatched by commodity DRAM. An SRAM-like address interface makes Low Latency DRAMs easier to use while allowing the devices to maintain near-100% bus utilization for networking tasks.

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Verpackung/Gehäuse
Organisation
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
GSI Technology DRAM LLDRAM II, 288Mb, x36, 533MHz, Commercial Temp
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LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C GS4288C36GL
GSI Technology DRAM LLDRAM II, 288Mb, x36, 533MHz, Industrial Temp
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Min.: 36
Mult.: 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C GS4288C36GL
GSI Technology DRAM LLDRAM II, 288Mb, x36, 400MHz, Commercial Temp
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Min.: 36
Mult.: 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C GS4288C36GL
GSI Technology DRAM 8M x 36 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
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Min.: 36
Mult.: 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C GS4288C36GL Tray
GSI Technology DRAM LLDRAM II, 288Mb, x36, 400MHz, Commercial Temp
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Min.: 36
Mult.: 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C GS4288C36GL
GSI Technology DRAM 8M x 36 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
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Min.: 36
Mult.: 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C GS4288C36GL Tray
GSI Technology DRAM LLDRAM II, 288Mb, x36, 300MHz, Commercial Temp
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Min.: 36
Mult.: 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C GS4288C36GL
GSI Technology DRAM LLDRAM II, 288Mb, x36, 300MHz, Industrial Temp
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Min.: 36
Mult.: 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C GS4288C36GL