Bipolar Transistors

Toshiba Bipolar Transistors are pre-biased transistors designed for low noise and low saturation voltage applications. These bipolar transistors are AEC-Q101 qualified and offer PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP, and NPN + PNP polarities for operation. These transistors are available in 25MHz, 30MHz, 35MHz, 55MHz, 100MHz, 120MHz, 200MHz, and 300MHz transition frequency with 3 pin, 5pin, 6pin, and 8pin variants.

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Toshiba Bipolartransistoren - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
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7 862Auf Lager
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP

Toshiba Bipolartransistoren - BJT BJT PNP -18A 180W 80 HFE -2V Trans
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300Auf Lager
200erwartet ab 16.03.2026
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole 2-21F1A-3 PNP

Toshiba Bipolartransistoren - BJT PNP -80V 10W 100MHz 200 hFE
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2 070Auf Lager
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP
Toshiba Bipolartransistoren - BJT PNP -2.5A 1.5W 280 HFE -0.5V Trans
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3 997Auf Lager
10 250Auf Bestellung
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-126N-3 PNP
Toshiba Digitaltransistoren TRANS-SS PNP SOT23 45V
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7 151Auf Lager
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Rolle: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT SMD-3 PNP


Toshiba Bipolartransistoren - BJT NPN PWR Amp Trans 18A 35A 180W 160V
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127Auf Lager
300erwartet ab 16.03.2026
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3 NPN
Toshiba Bipolartransistoren - BJT NPN PWR Amp Trans 1.5A IC 3A 1.1W
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957Auf Lager
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-251-3 NPN
Toshiba Bipolartransistoren - BJT TRANS-SS NPN SOT23 50V
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13 010Auf Lager
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN

Toshiba Bipolartransistoren - BJT NPN PWR Amp Trans 15A 150W 230V
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460Auf Lager
1 600Auf Bestellung
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole 2-21F1A-3 NPN
Toshiba Bipolartransistoren - BJT 150mA 50V
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6 948Auf Lager
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Rolle: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-353-5 NPN
Toshiba Bipolartransistoren - BJT NPN VCE 0.4V IC 3A Tstg 1.0 VCEO 80V
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162Auf Lager
2 000erwartet ab 17.04.2026
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-252-3 NPN
Toshiba Bipolartransistoren - BJT 150mA 50V
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6 721Auf Lager
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Rolle: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-353-5 NPN
Toshiba Bipolartransistoren - BJT PNP 230V 15A
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1 656Auf Bestellung
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3 PNP
Toshiba Bipolartransistoren - BJT NPN 2.5A 1.5W 280 HFE 0.5V Trans
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15 288Auf Bestellung
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-126N-3 NPN
Toshiba Bipolartransistoren - BJT TRANS-SS NPN 3SMD 50V
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5 844erwartet ab 03.04.2026
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN
Toshiba Bipolartransistoren - BJT POWER TRANSISTOR PW-MINI PC=2.5W F=1MHZ
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
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BJTs - Bipolar Transistors SMD/SMT SC-62-3 PNP
Toshiba Bipolartransistoren - BJT Bias Resistor Built-in transistor
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES6-6 PNP
Toshiba Bipolartransistoren - BJT ES6 PLN
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES6-6 PNP
Toshiba Bipolartransistoren - BJT PNP Transistor -25V S-Mini -0.8A -0.4V
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-59-3 PNP
Toshiba Bipolartransistoren - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI MOQ=1000 V=45V F=200MHZ
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-62-3 PNP

Toshiba Bipolartransistoren - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 PNP
Toshiba Bipolartransistoren - BJT Bias Resistor Built-in transistor
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
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Rolle: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 PNP
Toshiba Bipolartransistoren - BJT NPN 0.3A IC 20V Gen Purp Trans
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Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-346-3 NPN
Toshiba Bipolartransistoren - BJT NPN 0.15A IC 50V Gen Purp Trans
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Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN
Toshiba Bipolartransistoren - BJT NPN VCE 0.22V 95ns 400 to 1000 hFE 5A
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
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Rolle: 2 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN