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NCV51561BBDWR2G

Name: onsemi NCV51561BBDWR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV51561BBDWR2G
Price: 3.44 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NCV51561BBDWR2G

Herst.- Nr.:

NCV51561BBDWR2G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Galvanisch isolierte Gate-Treiber 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Automotive Gate Driver Automotive

Datenblatt:

NCV51561BBDWR2G Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	€ 2,61	€ 26,10
	€ 2,39	€ 59,75
	€ 2,16	€ 216,00
	€ 1,99	€ 497,50
	€ 1,96	€ 980,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	€ 1,83	€ 1 830,00
	€ 1,78	€ 3 560,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Galvanisch isolierte Gate-Treiber
RoHS:
Serie:	NCV51561
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-16
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verzögerungszeit - Max.:	58 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	2 Output
Produkt:	MOSFET Gate Drivers
Produkt-Typ:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Versorgungsspannung - Max.:	5 V
Versorgungsspannung - Min.:	3 V
Technologie:	SiC
Typ:	High-Side, Low-Side

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Datenblatt

NCV51561BBDWR2G Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Kopplung von Gate-Treibern mit EliteSiC-MOSFETs

Energieinfrastrukturapplikationen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeicherung, unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV) und Solarenergie treiben die Systemleistung auf Hunderte von Kilowatt und sogar Megawatt. Diese Hochleistungsapplikationen verwenden ein Halbbrücken-, Vollbrücken- und Dreiphasen-Topologie-Tastverhältnis mit bis zu sechs Schaltern für Wechselrichter und BLDC. Je nach Leistungspegel und Schaltgeschwindigkeiten suchen Systemdesigner verschiedene Schalttechnologien, einschließlich Silizium, IGBTs und SIC, um die Applikationsanforderungen am besten zu erfüllen.

NCV51561 Isolierter Zweikanal-Gate-Treiber

Der onsemi NCV51561 isolierte Zweikanal-Gate-Treiber verfügt über einen Quellen-Spitzenstrom von 4,5 A und einen Senken-Spitzenstrom von 9 A mit kurzen und angepassten Laufzeitverzögerungen. Der NCV51561 ist für ein schnelles Schalten zum Antrieb von Leistungs-MOSFETs und SiC-MOSFET-Leistungsschaltern ausgelegt.