VS-U5FX240FA120

Vishay Semiconductors
78-VS-U5FX240FA120
VS-U5FX240FA120

Herst.:

Beschreibung:
Gleichrichter SOT-227 - GEN5 FRED IN PARALLE

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Vishay
Produktkategorie: Gleichrichter
RoHS:  
Screw Mount
SOT-227
1.2 kV
120 A
Fast Recovery Rectifiers
Dual
2.8 V
595 A
900 nA
60 ns
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marke: Vishay Semiconductors
Pd - Verlustleistung: 611 W
Produkt: Rectifiers
Produkt-Typ: Rectifiers
Verpackung ab Werk: 10
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
TARIC:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Philippinen
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Gen 5 600 V Hyperfast- und Ultrafast-Gleichrichter

Vishay Semiconductors Gen 5 600 V Hyperfast- und Ultrafast-Gleichrichter bieten eine einzigartige Kombination von geringen Leitungs- und Schaltverlusten. Diese Gleichrichter sind zur Erhöhung des Wirkungsgrads von Hochfrequenz-Wandlern und hart- und weichschaltenden oder resonanten Designs ausgelegt. Die Gen 5 600 V Hyperfast- und Ultrafast-Gleichrichter werden von der Kupfer-Grundplatte im SOT-227-Gehäuse isoliert und ermöglichen die Erstellung von gängigen Kühlkörpern und kompakten Baugruppen.

H-Baureihe Extrem schnelle 1.200-V-Gleichrichter der 5. Gen.

Die Gen 5 ultraschnellen 1.200-V-Gleichrichter der H-Baureihe von Vishay  sind FRED Pt® 8-A- bis 60-A-Gleichrichter mit dem besten Kompromiss zwischen Leitungs- und  Schaltverlust für Bauteile in ihren Klassen. Diese Gleichrichter sind zur Erhöhung des Wirkungsgrads von Hochfrequenz -Wandlern und hart- und weichschaltenden oder resonanten Designs ausgelegt. Sie verfügen über geringe Leitungs- und  Schaltverluste und eignen sich hervorragend für Hochfrequenz -Wandler. Die Gleichrichter sind speziell zur Verbesserung des Wirkungsgrades von PFC und  Ausgangsgleichrichterstufen von EV/HEV-Batterielade stationen ausgelegt. Dazu gehört die Verstärkerstufe von Solarwechselrichtern und USV -Applikationen. Die Bauteile sind perfekt auf den  Betrieb mit MOSFETs oder Hochgeschwindigkeits-IGBTs abgestimmt.