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SIC653ACD-T1-GE3

Name: Vishay SIC653ACD-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIC653ACD-T1-GE3
Price: 2.3 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIC653ACD-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIC653ACD-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

Schaltspannungsregler 50A VPOWER INTGRATED POWER STAGE

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

SIC653ACD-T1-GE3 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	€ 1,32	€ 33,00
	€ 1,09	€ 109,00
	€ 1,03	€ 257,50
	€ 0,903	€ 451,50
	€ 0,832	€ 832,00
	€ 0,707	€ 2 121,00
	€ 0,671	€ 4 026,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	Schaltspannungsregler
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	MLP55-31
Struktur:	Buck
Ausgangsstrom:	50 A
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Eingangsspannung – Min:	4.5 V
Eingangsspannung – Max:	24 V
Schaltfrequenz:	1.5 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	SIC
Marke:	Vishay Semiconductors
Eingangsspannung:	4.5 V to 24 V
Produkt-Typ:	Switching Voltage Regulators
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Versorgungsspannung - Min.:	4.5 V
Typ:	Integrated Power Stage

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Datenblatt

SIC653ACD-T1-GE3 Datenblatt (PDF)

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CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542310030
ECCN:: EAR99

SiC653A 50 A VRPower® Integrierte Leistungsstufe

Die integrierte Leistungsstufe SiC653A 50 A VRPower^® von Vishay Semiconductors für synchron geregelte Abwärtswandleranwendungen ausgelegt und bietet eine hohe Stromstärke, einen hohen Wirkungsgrad und eine hohe Leistungsdichte. Die SiC653A von Vishay Semiconductors ist in einem kompakten MLP-Gehäuse von 5 mm x 5 mm untergebracht und ermöglicht es Spannungsreglern, bis zu 50 A Dauerstrom pro Phase zu liefern. Dank der fortschrittlichen Gen IV TrenchFET-MOSFET-Technologie von Vishay minimiert die SiC653A die internen Schalt- und Leitungsverluste und bietet so eine branchenführende Leistung. Ihr fortschrittlicher Gate-Treiber-IC verfügt über eine hohe Ansteuerungsstromfähigkeit, adaptive Totzeitsteuerung, eine integrierte Bootstrap-Schottky-Diode, ein thermisches Warnsignal (THWn) zur Temperaturüberwachung und eine Nullstromerkennung zur Verbesserung des Wirkungsgrads bei geringer Last. Der Treiber unterstützt Tri-State PWM-, 3,3 V- und 5 V-Logikschaltung und ist mit verschiedenen PWM-Controllern kompatibel.