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NTMTS0D7N04CTXG

Name: onsemi NTMTS0D7N04CTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMTS0D7N04CTXG
Price: 3.2 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMTS0D7N04CTXG

Herst.- Nr.:

NTMTS0D7N04CTXG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs AFSM T6 40V SG NCH

Datenblatt:

NTMTS0D7N04CTXG Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFNW-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	420 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	670 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	140 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	205 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	20.4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	200 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	18.1 ns
Serie:	NTMTS0D7N04C
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	61 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	28.9 ns
Gewicht pro Stück:	319,280 mg

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Datenblatt

NTMTS0D7N04CTXG Datenblatt

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs

onsemi Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs sind MOSFETs mit 30 V, 40 V und 60 V, die mit einem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt werden, das die abgeschirmte Gate-Technologie enthält. Dieses Verfahren wurde für die Reduzierung des Einschaltwiderstands optimiert und bietet mit einer erstklassigen Soft-Bodydiode trotzdem eine überragende Schaltleistung.

NTMTS0D7N04C 40 V N-Kanal Leistungs-MOSFET

Der onsemi NTMTS0D7N04C 40-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET wurde mit dem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren von onsemi hergestellt und enthält eine abgeschirmte Gate-Technologie. Dieses Verfahren wurde für die Reduzierung des Einschaltwiderstands optimiert und bietet mit einer erstklassigen Soft-Bodydiode trotzdem eine überragende Schaltleistung. Der NTMTS0D7N04C von onsemi bietet einen Dauersenkenstrom (I_D) von 420 A und einen niedrigen Drain-Source-Einschaltwiderstand (R_DS(ON) von 0,67 mΩ (max.).