GS665xx Anreicherungstyp-Silizium-Leistungstransistoren

Die GS665xx Anreicherungstyp-High-Electron-Mobility-Transistoren (E-HEMT) von Infineon Technologies verfügen über Hochstrom, Hochspannungsdurchschlag und hohe Schaltfrequenz. Diese Leistungstransistoren umfassen das Zellenlayout von Island Technology mit Hochstrom-Chip und hohem Ertrag und das kleine GaNPX® -Gehäuse ermöglicht eine niedrige Induktivität und einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Leistungstransistoren bieten einen sehr niedrigen thermischen Widerstand der Sperrschicht zum Gehäuse für Hochleistungsapplikationen. Die GS665xx Anreicherungstyp-Silizium-Leistungstransistoren sind als unter- oder oberseitig gekühlte Transistoren verfügbar. Diese Leistungstransistoren bieten einen extrem niedrigen FOM-Chip, eine Sperrstrombelastbarkeit und einen Sperrverzögerungsverlust von Null.

Ergebnisse: 13
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Kanalmodus
Handelsname
Infineon Technologies GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
Datenblatt
1 206Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 130 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 3.3 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNPX
Infineon Technologies GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
Datenblatt
4 231Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

SMD/SMT GaNpx N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 130 mOhms - 10 V, + 7 V 1.1 V 3.3 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNPX
Infineon Technologies GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
Datenblatt
1 030Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

SMD/SMT GaNpx N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 32 mOhms - 10 V, + 7 V 1.1 V 14.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNPX
Infineon Technologies GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
Datenblatt
3 993Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 22.5 A 90 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 4.5 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNPX
Infineon Technologies GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
Datenblatt
2 451erwartet ab 26.02.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

SMD/SMT GaNpx N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 63 mOhms - 10 V, + 7 V 1.1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNPX
Infineon Technologies GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
Datenblatt
3 000Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 63 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 6.1 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNPX
Infineon Technologies GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
Datenblatt
2 957Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

SMD/SMT GaNpx N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 63 mOhms - 10 V, + 7 V 1.1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNPX
Infineon Technologies GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
Datenblatt
Vorlaufzeit 53 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 63 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 6.1 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNPX
Infineon Technologies GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
Datenblatt
Vorlaufzeit 53 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 32 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 14.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNPX
Infineon Technologies GaN FETs 650V, 7.5A, Bottom-Side Cooled E-mode GaN Transistor
Datenblatt
1 891Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 7.5 A 260 mOhms - 10 V, 7 V 2.6 V 1.6 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNPX
Infineon Technologies GaN FETs 650V, 7.5A, Bottom-Side Cooled E-mode GaN Transistor
Datenblatt
Vorlaufzeit 53 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

SMD/SMT GaNpx N-Channel 1 Channel 650 V 7.5 A 260 mOhms - 10 V, 7 V 2.6 V 1.6 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNPX
Infineon Technologies GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
Datenblatt
Vorlaufzeit 53 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

SMD/SMT GaNpx N-Channel 1 Channel 650 V 22.5 A 90 mOhms - 10 V, + 7 V 1.1 V 4.5 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNPX
Infineon Technologies GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
Datenblatt
Vorlaufzeit 53 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

SMD/SMT GaNpx N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 32 mOhms - 10 V, + 7 V 1.1 V 14.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNPX