LMG1210 200-V-Halbbrücken-MOSFET- und GaN-FET-Treiber

Texas Instruments LMG1210 200-V-Halbbrücken-MOSFET- und Gallium-Nitrid-Feldeffekttransistor-Treiber (GaN-FET) sind für Applikationen mit extrem hoher Frequenz und hohem Wirkungsgrad ausgelegt. Das Bauteil eignet sich für Applikationen, die über eine einstellbare Totzeit-Fähigkeit, eine sehr kleine Laufzeitverzögerung und eine High-Side-Low-Side-Anpassung von 3,4 ns zur Optimierung des Systemwirkungsgrads verfügen. Die LMG1210 MOSFET- und GaN-FET-Treiber bieten einen internen LDO, der unabhängig von der Versorgungsspannung eine Gate-Drive-Spannung von 5 V gewährleistet.