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STGWA50IH65R

Name: STMicroelectronics STGWA50IH65R
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA50IH65R
Price: 4.35 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGWA50IH65R

Herst.- Nr.:

STGWA50IH65R

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Reverse-conducting 650 V, 50 A, soft-switching IHR series IGBT in a TO-247 long leads package

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.75 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	97 A
Pd - Verlustleistung:	306 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	JP
Kriechstrom Gate-Emitter:	250 nA
Produkt-Typ:	IGBTs
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	6,153 g

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Technical Resources

User Manual (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

STGWA50IH65R 650 V Weichschaltender IHR IGBT

Der weichschaltende IHR IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) STGWA50IH65R mit 650 V von STMicroelectronics verwendet einen fortschrittlichen, proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Aufbau mit einer monolithisch integrierten Body-Diode. Der STMicroelectronics STGWA50IH65R für Leitungs- sowie Schaltverluste optimiert und ermöglicht eine sanfte Kommutierung. Dieser IGBT mit langen Leitungen im TO-247-Gehäuse maximiert den Wirkungsgrad für resonante und weichschaltende Applikationen.