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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
Datenblatt
376Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 165 A 4.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 90 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(75V,120V(
Datenblatt
862Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 165 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 90 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(75V,120V(
Datenblatt
493Auf Lager
52 000Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 231 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-CHANNEL 100+
Datenblatt
1 643Auf Lager
5 000Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 31 mOhms, 31 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 9.4 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET
Datenblatt
1 513Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 35 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 13.4 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IPD30N10S3L34ATMA2
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
Datenblatt
87Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 100 V 30 A 31 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 24 nC - 55 C + 175 C 57 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
Datenblatt
3 729Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 70 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 60 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
Datenblatt
7 499erwartet ab 09.07.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 35 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
Datenblatt
2 500Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 49 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
Datenblatt
485Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 15.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 64 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
: 4 000

Si SMD/SMT DirectFET-L8 N-Channel 1 Channel 100 V 114 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q100 Reel

Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 210 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Infineon Technologies IPP100N10S305AKSA2
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 135 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube