RBS1-Baureihe Schottky-Barriere-Dioden mit sehr niedriger VF
Die Schottky-Barriere-Dioden der RBS1-Baureihe von ROHM Semiconductor sind kleine, leistungsstarke, geformte Dioden mit 1 A gleichgerichtetem Durchlassstrom (IO) und 20 V Gleichspannung (VR). Diese Dioden werden unter Verwendung einer Silizium-Epitaxial-Planar-Bauweise hergestellt und sind in PMDTM- (SOD-128) oder PMDU-Gehäusen (SC-109 B) untergebracht. Die RBS1 Barriere-Dioden von ROHM Semiconductor bieten eine extrem niedrige VF, hohe Zuverlässigkeit und werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +125 °C betrieben. Diese Schottky-Barriere-Dioden eignen sich hervorragend für die allgemeine Gleichrichtung.
