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DI105N04PQ-AQ

Name: Diotec Semiconductor DI105N04PQ-AQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI105N04PQ-AQ
Price: 1.34 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

637-DI105N04PQ-AQ

Herst.- Nr.:

DI105N04PQ-AQ

Herst.:

Diotec Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 105A, 150C, N, AEC-Q101

Datenblatt:

DI105N04PQ-AQ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	€ 0,569	€ 56,90
	€ 0,453	€ 226,50
	€ 0,402	€ 402,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	€ 0,335	€ 1.675,00
	€ 0,328	€ 3.280,00
	€ 0,326	€ 8.150,00

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Hersteller:	Diotec Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	105 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.4 V
Qg - Gate-Ladung:	23 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	83 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Diotec Semiconductor
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	9.4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	116 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8.3 ns
Serie:	DI100N
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	28 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns
Artikel # Aliases:	N-CHANNEL

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Datenblatt

DI105N04PQ-AQ Datenblatt (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

DI105N04PQ N-Channel Power MOSFET

Diotec Semiconductor DI105N04PQ N-Channel Power MOSFET is a 40V drain-source voltage (V_DSS) N-channel power MOSFET in a low profile, space-saving TDSON-8 package. It comes with a 105A continuous drain current (I_D) and 83W power dissipation (P_tot). The device offers a low drain-source on-state resistance of 2.9mΩ typical (V_GS=4.5V I_D=50A). The Diotec Semiconductor DI105N04PQ is ideal for DC/DC converters, power supplies, DC drives, power tools, and synchronous rectifier applications.

Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs

Diotec Semiconductor Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs are AEC-Q101 qualified and leverage advanced trench technology, which enhances performance by providing fast switching times and low total gate charge. This results in improved efficiency and reduced power loss. The Diotec Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs also feature low on-state resistance, which minimizes conduction losses and enhances overall system performance. These characteristics make the MOSFETs ideal for various automotive and industrial applications where reliability and efficiency are paramount.