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NVH640S75L4SPC

Name: onsemi NVH640S75L4SPC
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH640S75L4SPC
Price: 508.08 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVH640S75L4SPC

Herst.- Nr.:

NVH640S75L4SPC

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

IGBT-Module AUTOMOTIVE 750V 640A SSDC POWER MODULE PIN FIN BASE PLATE

Datenblatt:

NVH640S75L4SPC Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	IGBT-Module
RoHS:
Produkt:	Power Modules
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	750 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.45 V
Kriechstrom Gate-Emitter:	300 nA
Verpackung/Gehäuse:	SSDC-33
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tray
Marke:	onsemi
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	20 V
Montageart:	Through Hole
Produkt-Typ:	IGBT Modules
Serie:	NVH640S75L4SPC
Verpackung ab Werk:	4
Unterkategorie:	IGBTs
Technologie:	Si

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Datenblatt

NVH640S75L4SPC Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8542390060
ECCN:: EAR99

NVH640S75L4SPx IGBT-Module

onsemi NVH640S75L4SPx IGBT-Module sind Automotive-Field-Stop-4(FS4)-Leistungsmodule der VE-Trac™ -Direct-Produktfamilie von hochintegrierten Leistungsmodulen. Diese Module werden bei 750 V und 640 A in einer einseitigen 6-Pack-Konfiguration mit direkter Kühlung betrieben. Dies bietet eine hohe Stromdichte und gleichzeitig eine robuste Kurzschluss-Sicherung und eine erhöhte Sperrspannung. Die NVH640S75L4SPx Module verfügen über eine extrem niedrige Streuinduktivität, einen Dauerbetrieb bei 175°C, schnelle Freilaufdioden-Chip-Technologien und ein isoliertes DBC-Substrat von 4,2 kV. Diese IGBT-Module sind einfach zu integrierende6-Pack-Topologie und sind bleifrei und RoHs-konform. Die NVH640S75L4SPx IGBT-Module erfüllen die Brennbarkeitsklasse UL 94 V-0. Diese IGBT-Module eignen sich für Traktionswechselrichter von Hybrid- und Elektrofahrzeugen und Hochleistungswandlern.