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NXH40B120MNQ0SNG

Name: onsemi NXH40B120MNQ0SNG
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH40B120MNQ0SNG
Price: 73.34 EUR
Availability: InStock

Mouser-Nr.:

863-NXH40B120MNQ0SNG

Herst.- Nr.:

NXH40B120MNQ0SNG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFET-Module 80KW GENII 1200V 80MOHM SIC MOSFET

Datenblatt:

NXH40B120MNQ0SNG Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	118 W
Serie:	NXH40B120MNQ0
Verpackung:	Tray
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Dual
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Verpackung ab Werk:	24
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	EliteSiC

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Datenblatt

NXH40B120MNQ0SNG Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NXH40B120MNQ0 Vollständiges SiC-MOSFET-Modul

Das onsemi NXH40B120MNQ0 vollständige SiC-MOSFET-Modul enthält eine doppelte Boost-Stufe, die aus zwei SiC-MOSFETs von 40 m Ω/ 1.200 V und zwei SiC-Dioden von 40 A / 1.200 V besteht.Ω Diese integrierten SiC-MOSFETs und SiC-Dioden sorgen für geringere Leitungs- und Schaltverluste, so dass Designer einen hohen Wirkungsgrad und eine überragende Zuverlässigkeit erzielen können. Das NXH40B120MNQ0 vollständige SiC-MOSFET-Modul enthält zwei zusätzliche 50-A-/1.200-V-Bypass-Gleichrichter, die für die Einschaltstrombegrenzung und einen On-Board-Thermistor verwendet werden. Dieses vollständige SiC-MOSFET-Modul verfügt über eine niedrige Sperrverzögerung und schnellschaltende SiC-Dioden, ein Layout mit niedriger Induktivität, Lötpins und einen Thermistor. Das NXH40B120MNQ0 vollständige SiC-MOSFET-Modul eignet sich hervorragend für den Einsatz in Solarwechselrichtern und unterbrechungsfreien Stromversorgungen.