SIZF300DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SIZF300DT-T1-GE3
SIZF300DT-T1-GE3

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 30V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAIR F 3.3x3.3

Lebenszyklus:
End-of-Life-Produkt :
Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt
Datenblatt:
ECAD Model:
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Preis (EUR)

Menge Stückpreis
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Gurtabschnitt / MouseReel™ †
€ 1,63 € 1,63
€ 1,08 € 10,80
€ 0,792 € 79,20
€ 0,649 € 324,50
€ 0,568 € 568,00
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€ 0,469 € 1 407,00
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Vishay
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAIR3x3-4
N-Channel
2 Channel
30 V
75 A, 141 A
4.5 mOhms, 1.84 mOhms
- 16 V, - 12 V, 16 V, 20 V
1 V, 1.1 V
22 nC, 62 nC
- 55 C
+ 150 C
74 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Vishay Semiconductors
Konfiguration: Dual
Abfallzeit: 7 ns, 12 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 60 S, 90 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 40 ns, 53 ns
Serie: SIZ
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 23 ns, 30 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 17 ns, 25 ns
Gewicht pro Stück: 143,050 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Integrierte MOSFET-Lösungen

Die integrierten MOSFET-Lösungen von Vishay kombinieren Bauelemente in einem einzigen monolithischen Chip, um die Leistungsdichte zu erhöhen, den Wirkungsgrad zu steigern, das Design zu vereinfachen und die BOM-Kosten zu senken. Diese Einzel- und Multi-Chip-MOSFETs vereinen Funktionen wie Schottky-Dioden und ESD-Schutz. Sie zeichnen sich durch n- und p-Kanal-TrenchFET®-Technologien mit niedrigem Einschaltwiderstand und niedrigem thermischen Widerstand aus. 

PowerPAIR® Dual-MOSFETs

Die PowerPAIR® Dual-MOSFETs von Vishay kombinieren optimierte Kombinationen von MOSFETs in einem kompakten Gehäuse. Die zusammengeschalteten PowerPAIR Dual-MOSFETs verfügen über einen geringeren Platzbedarf und bieten eine höhere Leistungsfähigkeit als separate diskrete Bauteile. Durch den bereits erfolgten Anschluss der beiden MOSFETs im PowerPAIR-Gehäuse werden die Layouts vereinfacht und die parasitäre Induktivität von PCB-Spuren reduziert, wodurch der Wirkungsgrad erhöht wird. 

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