Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

NJVMJD45H11G

Name: onsemi NJVMJD45H11G
Brand: onsemi
SKU: 863-NJVMJD45H11G
Price: 1.17 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NJVMJD45H11G

Herst.- Nr.:

NJVMJD45H11G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT BIP DPAK PNP 8A 80V

Datenblatt:

NJVMJD45H11G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NJVMJD45H11G

Auf Lager: 2 212

Lagerbestand:: 2 212 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 8 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 1,17	€ 1,17
	€ 1,05	€ 10,50
	€ 0,458	€ 34,35

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

NJVMJD45H11T4G-VF01

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 1,31

Min:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	PNP
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	8 A
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	80 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	5 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1 V
Pd - Verlustleistung:	20 W
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	90 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Qualifikation:	AEC-Q101
Serie:	MJD45H11
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	VN
Land der Verbreitung:	MY
Ursprungsland:	MY
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	75
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	350 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NJVMJD45H11G Datenblatt

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NJVMJD45H11G Bipolarer Sperrschichttransistor

Der bipolare Sperrschichttransistor (BJT) NJVMJD45H11G von ON Semiconductor ist ein schnelles Schaltgerät mit geringer Sättigungsspannung des Kollektor-Emitters. Die elektrischen Eigenschaften des NJVMJD45H11G Transistors umfassen: 8 A Strom, 80 V Spannung und 20 W Leistung. Dieser Transistor ist elektrisch der D44H/D45H-Serie ähnlich. Der NJVMJD45H11G ist in einer Ausführung mit geraden Anschlussleitungen in Kunststoffhülsen mit komplementären Paaren erhältlich, um die Designs zu vereinfachen. Dieser Transistor wird für allgemeine Energie- und Schaltvorrichtungen verwendet.Die Applikationen umfassen Schaltregler, Wandler und Leistungsverstärker.
Mehr erfahren