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SIJK140E-T1-GE3

Name: Vishay SIJK140E-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIJK140E-T1-GE3
Price: 6.33 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIJK140E-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIJK140E-T1-GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

SIJK140E-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK 10x12
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	795 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	470 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	312 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	536 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	45 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	45 ns
Serie:	SiJK140E
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	85 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	40 ns

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Datenblatt

SIJK140E-T1-GE3 Datenblatt

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiJK140E 40-V-n-Kanal-(D-S)-MOSFET

Der SiJK140E 40-V-n-Kanal-(D-S)-MOSFET von Vishay / Siliconix verfügt über die TrenchFET^® -Gen-V-Leistungstechnologie. Dieser MOSFET optimiert die Leistungseffizienz, und der R_{DS (on)} reduziert den Stromverlust während der Leitung und sorgt für einen effizienten Betrieb. Der SiJK140E MOSFET ist 100 % R_g- und UIS-getestet. Dieser Leistungs-MOSFET verbessert die Verlustleistung und reduziert den thermischen Widerstand (R_thJC). Zu den typischen Applikationen gehören Synchrongleichrichtung, Automatisierung, O-Ring und Hot-Swap-Schalter, Netzteile, Motorantriebssteuerung und Batteriemanagement.

Superjunction MOSFETs in PowerPAK® 10 x 12

Superjunction-MOSFETs von Vishay/Siliconix im PowerPAK^® -10 x 12-Gehäuse verfügen über Leistungstechnologie. Diese Leistungs-MOSFETs optimieren den Leistungswirkungsgrad, während der R_DS(on) den Leistungsverlust während der Leitung reduziert und einen effizienten Betrieb gewährleistet. Diese Komponenten sind 100 % Rg- und UIS-getestet. Superjunction-MOSFETs von Vishay / Siliconix verbessern die Verlustleistung und verringern den thermischen Widerstand (R_thJC). Zu den typischen Applikationen gehören Synchrongleichrichtung, Automatisierung und Netzteile.