1.200-V-SiC-MOSFETs

Die 1200 V SiC-MOSFETs von NexGuard  sind in 3-Pin-TO-247-3- und 4-Pin-TO-247-4 für die PCB-Montage zur Durchsteckmontage untergebracht. Die MOSFETs von Nexperia eignen sich aufgrund der ausgezeichneten Temperaturstabilität und der schnellen Schaltgeschwindigkeit hervorragend für Hochleistungs- und Hochspannungs-Industrieapplikationen. Zu diesen Applikationen gehören E-Fahrzeug-Ladeinfrastrukturen, Photovoltaik-Wechselrichter und Motorantriebe.

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Nexperia SiC-MOSFETs TO247 1.2KV 36A N-CH SIC
Datenblatt
255Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 120 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 44 nC - 55 C + 175 C 202 W Enhancement
Nexperia SiC-MOSFETs TO247 1.2KV 66A N-CH SIC
Datenblatt
227Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 84 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement
Nexperia SiC-MOSFETs NSF040120L4A1/SOT8071/TO247-4L
Datenblatt
15Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 30

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement