RH7G04CBJFRATCB

ROHM Semiconductor
755-RH7G04CBJFRATCB
RH7G04CBJFRATCB

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs Pch -40V -40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive

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€ 0,471 € 11 304,00

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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-8
P-Channel
1 Channel
40 V
40 A
17.7 mOhms
- 20 V, 5 V
2.5 V
33 nC
- 55 C
+ 175 C
62 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: ROHM Semiconductor
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 33 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 13 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 16 ns
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 115 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 11 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RH7G04CBJFRA P-Ch-Leistungs-MOSFET

Die P-Ch-Leistungs-MOSFETs der Baureihe RH7G04CBJFRA von ROHM Semiconductor sind gemäß AEC-Q101 für Automobilanwendungen qualifiziert, einschließlich Infotainment, Beleuchtung, ADAS und Karosserie. Das Bauelement bietet eine Drain-Source-Spannung von -40 V und einen kontinuierlichen Drainstrom von ±40 A. Der MOSFET RH7G04CBJFRA von ROHM ist in einem DFN-8-Gehäuse erhältlich.

125 °C I2C-BUS-EEPROMs für 2-Draht-Automotive

Die 125 °C I2C-BUS-EEPROMs für 2-Draht-Fahrzeuganwendungen von ROHM Semiconductor sind AEC-Q100-qualifiziert. Die I2C-BUS-EEPROMs von ROHM verfügen über zwei Ports serieller Takt (SCL) und serieller Daten (SDA), über die alle Steuerungen verfügbar sind. Die EEPROMs werden in einem großen Bereich von 1,7 V bis 5,5 V mit einem möglichen 1 MHz-Betrieb betrieben.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.