Vishay Siliconix SiHG47N60E E-Serie 600V-Hochspannungs-MOSFETs

Die 600V-Hochspannungs-MOSFETs SiHG47N60E der E-Serie von Vishay Siliconix bieten eine niedrige Figure-of-Merit (FOM) mit einem RDS (ON) von 64mOhm und einer Gate-Ladung von 147nC bei 10, wodurch Leitungs- und Schaltverluste auf ein Minimum reduziert werden. So können Hochleistungs-Schaltanwendungen energieeffizienter ausgeführt werden. Die SiHG47N60E E-Serie hilft Kunden die Energy Star 80 Plus-Zertifizierung zu erfüllen.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung

Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
Datenblatt
2 785Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 64 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 148 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
Datenblatt
942Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 64 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 148 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube