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STH4N150-2AG

Name: STMicroelectronics STH4N150-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH4N150-2AG
Price: 4.88 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STH4N150-2AG

Herst.- Nr.:

STH4N150-2AG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs Automotive-grade N-channel 1500 V, 6 Ohm typ., 2.6 A PowerMESH Power MOSFET in an H2PAK-2 package

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Datenblatt:

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	H2PAK-2
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.5 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	2.6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	10 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	35.1 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	208 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	72 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	38 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	16 ns
Gewicht pro Stück:	1,471 g

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Datenblatt

STH4N150-2AG Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Nicht lieferbar
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

STH4N150-2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der STMicroelectronics STH4N150-2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET ist darauf ausgelegt, eine hohe Spannung und Robustheit für den Automotive-Markt zu liefern. Dieses MOSFET wird mit der PowerMESH™-Technologie erstellt; das Bauteil kombiniert eine sehr hohe Drain-Source-Nennspannung von 1.500 V mit einer niedrigen elektrischen Gate-Ladung und einer robusten Avalanche-Funktion. Der STH4N150-2AG MOSFET ist im Automobilstandard, AEC-Q101-qualifiziert und in einem H²PAK-2-Gehäuse erhältlich. Dieses Bauteil eignet sich für Hochspannungs-, Automotive-, Hilfs- und Schaltapplikationen.

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Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 4,88	€ 4,88
	€ 3,20	€ 32,00
	€ 2,36	€ 236,00
	€ 2,09	€ 1.045,00
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	€ 1,73	€ 1.730,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

STH4N150-2AG

Herst.: STMicroelectronics

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