SGT1D5R10MEA

STMicroelectronics
511-SGT1D5R10MEA
SGT1D5R10MEA

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor
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STMicroelectronics
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
FCLGA-8
N-Channel
1 Channel
100 V
501 A
1.5 mOhms
- 4 V to + 6 V
2.1 V
15.9 nC
- 40 C
+ 150 C
735 W
Enhancement
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 7.6 ns
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Verpackung: MouseReel
Produkt: Transistors
Produkt-Typ: GaN FETs
Anstiegszeit: 7.9 ns
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: 1 N-Channel
Typ: PowerGaN Transistor
Regelabschaltverzögerungszeit: 15.7 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 8.2 ns
Gewicht pro Stück: 78 mg
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Datenblatt

Konformitätscodes
USHTS:
8541600060
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Nicht lieferbar
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SGT1D5R10MEA PowerGaN-Transistor

Der STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN-Transistor ist ein 100 V, 501 A e-Mode-Transistor mit extrem niedrigen Leitungsverlusten, Hochstromfähigkeit und ultraschnellem Schaltbetrieb. Dieser Transistor zeichnet sich durch eine hohe Schaltfrequenz aus und ermöglicht kompakte Designs mit hoher Leistungsdichte, kleinen passiven Bauteilen und vereinfachtem Wärmemanagement. Der SGT3D5R10MEB Transistor arbeitet bei einem typischen RDS(ON) Drain-Widerstand von 1,1 mΩ und einer Sperrschicht-Betriebstemperatur von -40 °C bis +150 °C. Dieser PowerGaN-Transistor ist ideal für DC/DC-Wandler, Motorantriebe und MPPT-Systeme für Solaranlagen.

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Gurtabschnitt / MouseReel™ †
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€ 4,06 € 406,00
€ 3,61 € 1.805,00
€ 2,91 € 2.910,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
€ 2,91 € 8.730,00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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