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SIRA99DP-T1-GE3

Name: Vishay SIRA99DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIRA99DP-T1-GE3
Price: 2.96 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIRA99DP-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIRA99DP-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs PPAKSO8 P-CH 30V 47.9A

Datenblatt:

SIRA99DP-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

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Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 2,96	€ 2,96
	€ 1,94	€ 19,40
	€ 1,35	€ 135,00
	€ 1,17	€ 585,00
	€ 1,12	€ 1.120,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,989	€ 2.967,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-SO-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	195 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 16 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	172.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	104 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerPAK
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	57 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	114 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	183 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	64 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	69 ns
Gewicht pro Stück:	506,600 mg

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TrenchFET®-MOSFETs

Vishay/Siliconix TrenchFET^®-MOSFETs sind mit der p- und n-Kanal-Siliziumtechnologie ausgestattet, wodurch diese Bauteile die besten Einschaltwiderstands-Spezifikationen der Branche, wie beispielsweise 1,9 mΩ im PowerPAK^® SO-8-Gehäuse, bieten. Diese MOSFETs verfügen über einen Einschaltwiderstand, der nur halb so hoch ist wie der Einschaltwiderstand der nächstbesten Bauteile auf dem Markt. Die n-Kanal-MOSFETs bieten einen Drain-Source-Durchschlagspannungsbereich von 40 V bis 250 V, eine Verlustleistung von 375 W und eine ThunderFET-Leistung (je nach Modell). Die p-Kanal-MOSFETs verfügen über bis zu 2 Kanäle, eine SMD- und Durchsteckmontage und einen Drain-Source-Durchschlagspannungsbereich von 12 V bis 200 V.

SiRA99DP 30-V-p-Kanal-MOSFET

Der SiRA99DP 30-V-p-Kanal-MOSFET von Vishay Semiconductors ist ein TrenchFET^® Gen IV Leistungs-MOSFET. Der SiRA99DP MOSFET bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand, der den Spannungsabfall und den Leitungsverlust reduziert.Dieser SiRA99DP MOSFET wird in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C betrieben. Der Leistungs-MOSFET ist in einem PowerPak^®-SO-8-Gehäuse mit Einzelkonfiguration erhältlich. Zu den typischen Applikationen gehören Lastschalter, Adapter- und Ladegerät-Schalter, Batterieschutz und Motorantriebssteuerung.