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SiC641CD-T1-GE3

Name: Vishay SiC641CD-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIC641CD-T1-GE3
Price: 2.45 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIC641CD-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SiC641CD-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

Spezialisiertes Energiemanagement - PMIC 55A DrMOS 5V PWM PowerPAK (MLP31-55)

Datenblatt:

SiC641CD-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

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Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 2,45	€ 2,45
	€ 1,83	€ 18,30
	€ 1,68	€ 42,00
	€ 1,51	€ 151,00
	€ 1,43	€ 357,50
	€ 1,38	€ 690,00
	€ 1,34	€ 1 340,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 1,29	€ 3 870,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	Spezialisiertes Energiemanagement - PMIC
RoHS:
REACH - SVHC:
Serie:	SIC
Typ:	General Purpose
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	MLP55-31
Eingangsspannung – Max:	16 V
Eingangsspannung – Min:	2.5 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Eingangsstrom:	55 A
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Anwendung:	Computers
Marke:	Vishay Semiconductors
Entwicklungs-Kit:	SiC641DB
Eingangsspannungsbereich:	2.5 V to 16 V
Betriebsversorgungsstrom:	120 uA
Betriebsversorgungsspannung:	5 V
Produkt:	Power Management Specialized - PMICs
Produkt-Typ:	Power Management Specialized - PMIC
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Handelsname:	DrMOS

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Datenblatt

SiC641CD-T1-GE3 Datenblatt

PCN

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

SiC641 55 A VRPower® Integrierte Leistungsstufe

Die integrierte Leistungsstufe SiC641 55 A VRPower^® von Vishay Semiconductors ist für synchron geregelte Abwärtswandleranwendungen konzipiert, die einen hohen Strom, einen hohen Wirkungsgrad und eine hohe Leistungsdichte mit minimalem Abschaltstrom liefern. Die SiC641 von Vishay Semiconductors ist in einem proprietären MLP-Gehäuse von 5 mm x 5 mm untergebracht. Die SiC641 unterstützt Spannungsregler mit bis zu 55 A Dauerstrom pro Phase. Dank der fortschrittlichen TrenchFET^® -Technologie von Vishay minimieren die internen Leistungs-MOSFETs Schalt- und Leitungsverluste und bieten so eine branchenführende Leistung.

DrMOS SiC6-Serie Integrierte Leistungsstufe

Die integrierte Leistungsstufe SiC620 von Vishay Semiconductors ist für synchrone Abwärtswandleranwendungen optimiert und bietet hohe Leistung bezogen auf Strom, Wirkungsgrad und Leistungsdichte. Die SiC620 ist in Vishays proprietären 5mm x 5mm MLP-Gehäuse erhältlich und ermöglicht die Entwicklung von Spannungsreglern mit bis zu 60A Dauerstrom pro Phase.Die internen Leistungs-MOSFETs nutzen Vishays hochmoderne Gen IV TrenchFET-Technik für branchenführende Leistung sowie umfassend reduzierte Schalt- und Leitungsverluste.

Die SiC620 enthält ein erweitertes MOSFET-Gate-Treiber-IC, das hohe Ansteuerungsströme, adaptive Laufzeitsteuerung, eine integrierte Bootstrap-Schottky-Diode und ein thermisches Alarmsignal (THWn) für Warnmeldungen bei überhöhter Sperrschichttemperatur sowie Nullstromerkennung zur Verbesserung des Wirkungsgrads bei niedriger Last bietet. Die Treiber sind auch kompatibel mit einer großen Bandbreite von PWM-Controllern und unterstützen Tri-State PWM, 3,3V (SiC620A) / 5V (SiC620) PWM-Logik.
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