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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Serie
Verpackung
SemiQ MOSFET-Module 1200V 20ohm SiC MOSFET Six-Pack Module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit B2 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 30 A 25 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 40 C + 175 C 263 W GCMX Tray
SemiQ MOSFET-Module 1200V 40ohm SiC MOSFET Six-Pack Module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit B2 6 Channel 1.2 kV 30 A 52 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 40 C + 175 C 160 W GCMX Tray
SemiQ MOSFET-Module 1200V 80ohm SiC MOSFET Six-Pack Module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit B2 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 29 A 100 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 40 C + 175 C 103 W GCMX Tray