Asynchronous SRAMs

ISSI Asynchronous SRAMs are offered in x8, x16, and x32 configurations. These devices are available in high-speed, low-power, high-speed/low-power, PowerSaver lower power, and automotive versions with long-term support offered by ISSI's commitment to the continued development of these products. ISSI Asynchronous SRAMs feature a wide offering of densities (64K to 16M), speeds (8ns to 55ns), supply voltages (1.65V to 5V), and temperature ranges (commercial, industrial, and automotive). These devices are available in a variety of packages (BGA, SOJ, SOP, sTSOP, and TSOP) to fit a variety of design needs.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

16 Mbit 2 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 100 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,8ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

16 Mbit 2 M x 8 8 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,3.3V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 512K,High-Speed/Low Power,Async,32K x 16,12ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

32 kbit 32 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed,Async,512K x 16,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,512K x 32,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v, 90 Ball mBGA (8x13 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

16 Mbit 512 k x 32 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-90 Reel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,36 Ball mBGA (8x10 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-36 Reel, Cut Tape, MouseReel

ISSI SRAM 2Mb 128K x 16 2.5v- Async SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,10ns, 2.4v-3.6v, 36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-36
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

8 Mbit 516 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

8 Mbit 512 k x 16 8 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

8 Mbit 512 k x 16 8 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

8 Mbit 512 k x 16 8 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 1M, 2.5-3.6V, 10ns 64Kx16 Asynch SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 64 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray
ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,64K x 16,8ns/3.3v or 10ns/2.5v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

1 Mbit 64 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 8Mb, Low Power Async, 1Mbx8 5v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

8 Mbit 1 M x 8 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel

ISSI SRAM 8Mb, Low Power Async, 512Kx16, 5v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 256K,Low Power/Power Saver,Async,32K x 8,45ns,3.3v,28 Pin TSOP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

256 kbit 32 k x 8 20 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-28 Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500
8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, ECC, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000
8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 210
Mult.: 210

16 Mbit 35 ns 2.2 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-2.2v,48 Pin TSOP I, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 96
Mult.: 96

16 Mbit 35 ns 2.2 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
ISSI SRAM 16M (1Mx16) 25ns Async SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 210
Mult.: 210

16 Mbit 1 M x 16 25 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray