Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

IRF100B201

Name: Infineon IRF100B201
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRF100B201
Price: 2.54 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

942-IRF100B201

Herst.- Nr.:

IRF100B201

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg

Datenblatt:

IRF100B201 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Infineon Technologies IRF100B201

Auf Lager: 16 550

Lagerbestand:: 16 550

sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 4 000

erwartet ab 01.06.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 26

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 2,54	€ 2,54
	€ 1,32	€ 13,20
	€ 1,20	€ 120,00
	€ 0,963	€ 481,50
	€ 0,886	€ 886,00
	€ 0,857	€ 4.285,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	192 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	170 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	441 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	StrongIRFET
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	MY
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	100 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	278 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	97 ns
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	110 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	17 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IRF100B201 Datenblatt (PDF)

Models

Saber Model - IRF100B201 (CAD)

Product Catalogs

SPICE Models

Spice Model - IRF100B201

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

IRF100x201 HEXFET™ Leistungs-MOSFETs

Die Infineon IRF100x201 HEXFET™ Leistungs-MOSFETs sind 100V-, Einzel-N-Kanal-MOSFETs mit verbesserter Body-Dioden-dV/dt- und DL/dt- Kapazität. Diese MOSFETs verfügen über verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt- Robustheit, voll ausgeprägte Kapazität und Lawinen-SOA (Safe Operating Area - Sicherer Betriebsbereich). Die IRF100x201 MOSFETs sind in TO-220- und D-²-Pak- Gehäusen erhältlich und sind RoHS-konform, blei- und halogenfrei. Zu den Anwendungen gehören gebürstete und BLDC-Motorantriebs-Anwendungen, batteriebetriebene Schaltungen, Halbbrücken- und Vollbrücken-Topologien, Energieversorgung und Leistungsschalter.