Q-Klasse HiPerFET™ Leistungs-MOSFETs

IXYS Q-Klasse HiPerFET™ Leistungs-MOSFETs sind für harte Schaltmodus- und Resonanzmodus-Applikationen ausgelegt. Sie bieten eine niedrige Gate-Ladung, eine ausgezeichnete Robustheit und eine schnelle intrinsische Diode Die HiPerFET™ Leistungs-MOSFETs der Q-Klasse von IXYS sind in vielen Standard-Industriegehäusen erhältlich, einschließlich isolierter Ausführungen.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung

IXYS MOSFETs 300V 52A
Datenblatt
91Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 52 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 3.5 Amps 1000V 3 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 37 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3.5 A 3 Ohms - 20 V, 20 V - 40 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube