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RQ3G110ATTB

Name: ROHM Semiconductor RQ3G110ATTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3G110ATTB
Price: 1.93 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RQ3G110ATTB

Herst.- Nr.:

RQ3G110ATTB

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs HSMT8 P-CH 40V 35A

Datenblatt:

RQ3G110ATTB Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,93	€ 1,93
	€ 1,11	€ 11,10
	€ 0,825	€ 82,50
	€ 0,697	€ 348,50
	€ 0,644	€ 644,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,577	€ 1 731,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HSMT-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	35 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	12.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	46 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	20 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	75 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	11 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	41 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	130 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	14 ns
Artikel # Aliases:	RQ3G110AT

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RQ3G110AT P-Kanal 40-V- 35-A-Leistungs-MOSFET

Der RQ3G110AT P-Kanal 40-V- 35-A-Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor ist ein Bauelement mit niedrigem Einschaltwiderstand, das in einem High-Power-Small-Mold-Gehäuse (HSMT8) untergebracht ist. Der RQ3G110AT verfügt über eine Pb-freie Beschichtung und ist RoHS-konform. Die MOSFETs sind zudem halogenfrei.