Signalinduktivitäten

TDK Signalinduktivitäten werden mit hochmoderner Mehrschichtverarbeitungs- und Drahtwickel-Technik hergestellt. Bei der Drahtwickel-Technik wird ein luftspaltloser Magnetkreis mit hohem Wirkungsgrad und Ferritpartikeln mit hoher Permeabilität verwendet, um niedrigere Rdc-Werte und einen geringeren Stromverbrauch zu ermöglichen. TDK Signalinduktivitäten sind für den Einsatz in zahlreichen Applikationen geeignet, die von mobilen Geräten und Verbraucherelektronik bis hin zu verschiedenen Arten von Automotive-Ausrüstungen und -Systemen reichen.

Arten von Induktivitäten, Drosseln und Spulen

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS Induktivität Abweichungstoleranz Maximaler Gleichstrom (DC) Montage Maximale Betriebstemperatur Qualifikation
TDK HF-Induktivitäten – SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-R22M-EFR Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

220 nH 20 % 1.69 A SMD/SMT + 105 C
TDK HF-Induktivitäten – SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-R47M-EFR Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

470 nH 20 % 1.34 A SMD/SMT + 105 C
TDK HF-Induktivitäten – SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-R68M-EFR Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

680 nH 20 % 1.26 A SMD/SMT + 105 C
TDK HF-Induktivitäten – SMD 0402 0.39uH 10% N/A
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 10 000

390 nH 10 % 10 mA SMD/SMT + 85 C
TDK HF-Induktivitäten – SMD General purpose multilayer chip inductor Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

3.3 uH 20 % 50 mA SMD/SMT + 85 C
TDK HF-Induktivitäten – SMD General purpose multilayer chip inductor Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

100 uH 20 % 2 mA SMD/SMT + 85 C
TDK HF-Induktivitäten – SMD General purpose multilayer chip inductor Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

27 uH 20 % 5 mA SMD/SMT + 85 C
TDK HF-Induktivitäten – SMD General purpose multilayer chip inductor Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

47 uH 20 % 4 mA SMD/SMT + 85 C