StrongIRFET™ 2 Leistungs-MOSFETs mit 30 V

Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Leistungs-MOSFETs von 30 V sind für niedrige und hohe Schaltfrequenzen optimiert und bieten somit eine hohe Designflexibilität. Diese Bauteile bieten eine hohe Leistungseffizienz für eine verbesserte Gesamtsystemleistung bei gleichzeitig hervorragender Robustheit. Durch den erhöhten Nennstrom wird eine höhere Strombelastbarkeit ermöglicht, wodurch die Notwendigkeit entfällt, mehrere Bauteile parallel zu schalten. Dies führt zu geringeren BOM-Kosten und Einsparungen beim Board. Applikationen umfasst Schaltnetzteile (SMPS), Motorantriebe batteriebetriebene Geräte Batteriemanagement, Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS), leichte Elektrofahrzeuge, Elektrowerkzeuge, Gartenwerkzeuge, Adapter und Verbraucherapplikationen.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
Datenblatt
636Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 30 V 122 A 2.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 33 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
Datenblatt
624Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 30 V 125 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 46 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
Datenblatt
399Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 30 V 119 A 2.35 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
Datenblatt
3 890Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 137 A 2.35 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
Datenblatt
1 294Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 143 A 2.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 33 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
Datenblatt
3 736Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 99 A 3.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 16 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
Datenblatt
3 760Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 73 A 4.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 13 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
Datenblatt
2 431Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 71 A 4.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 10 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape