e2PowerEdge Transistoren mit niedriger VCE(sat)-Spannung

Die e2PowerEdge Transistoren mit niedriger VCE(sat)-Spannung von onsemi sind oberflächenmontierte Bauteile mit extrem niedriger Sättigungsspannung (VCE(sat)) und hoher Stromverstärkungsfähigkeit. Sie sind für Niederspannungs-Hochgeschwindigkeits-Schaltapplikationen konzipiert, bei denen eine kostengünstige und effiziente Energiesteuerung unerlässlich ist. Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler und Energiemanagement in tragbaren und batteriebetriebenen Produkten wie Mobiltelefone, PDAs, Computer, Drucker, Digitalkameras und MP3-Player. Weitere Applikationen sind Niederspannungs-Motorsteuerungen in Massenspeicherprodukten wie Scheiben- und Bandantrieben. Diese können für den Airbag-Einsatz und Kombiinstrumente in der Automotive-Industrie verwendet werden. Die hohe Stromverstärkung ermöglicht die Ansteuerung der e2PowerEdge-Bauteile von onsemi direkt von den Steuerausgängen der PMUs und die lineare Gain (Beta) machen sie zu idealen Komponenten in analogen Verstärkern.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC)
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Bandbreitengewinnungsprodukt fT
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Serie
Verpackung
onsemi Bipolartransistoren - BJT MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8
Datenblatt
13 603Auf Lager
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: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 NPN Dual 3 A 40 V 40 V 6 V 82 mV 783 mW 100 MHz - 55 C + 150 C NSS40301MD Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Bipolartransistoren - BJT 40V 6A LOW VCE(SAT) DUAL PNP
Datenblatt
2 326Auf Lager
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Min.: 1
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: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 PNP Dual 3 A 40 V 40 V 7 V 135 mV 783 mW 100 MHz - 55 C + 150 C NSS40300MD Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Bipolartransistoren - BJT NPN 40V LOW SAT LFPAK4 BP
Datenblatt
2 988Auf Lager
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: 3 000

LFPAK-4 NSS40301CT Reel, Cut Tape
onsemi Bipolartransistoren - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A
Datenblatt
5 656Auf Lager
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: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 NPN, PNP Dual 3 A 40 V 40 V 6 V, 7 V 82 mV, 135 mV 783 mW 100 MHz - 55 C + 150 C NSS40302PD Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Bipolartransistoren - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3
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1 750Auf Lager
3 000Auf Bestellung
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: 3 000

Si SMD/SMT WDFN3 PNP Single 1 A 12 V 12 V 5 V 400 mV 1.1 W 200 MHz - 55 C + 150 C NSS12100UW Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Bipolartransistoren - BJT 100 V, 3.0 A Low VCE(sat) NPN Bipolar Junction Transistor 100 V, 3 A
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496Auf Lager
3 000erwartet ab 03.07.2026
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LFPAK-4 NSS1C301CT Reel, Cut Tape
onsemi Bipolartransistoren - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
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2 980Auf Lager
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Si SMD/SMT WDFN6 Dual 20 V 20 V 250 mV NSS20200DM Reel, Cut Tape
onsemi Bipolartransistoren - BJT DUAL 40V LOW VCE XTR PNP
Datenblatt
2 847Auf Lager
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: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 PNP Dual 3 A 40 V 40 V 7 V 135 mV 783 mW 100 MHz - 55 C + 150 C NSS40300DD Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Bipolartransistoren - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
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16Auf Lager
12 000erwartet ab 14.08.2026
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: 3 000

Si SMD/SMT NPN Single 1 A 60 V 60 V 6 V 130 mV 2.27 W 180 MHz - 55 C + 150 C NSS60101DMT Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Bipolartransistoren - BJT 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
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2 900Auf Lager
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: 3 000

Si SMD/SMT WDFN6 NPN Single 60 V 60 V 6 V 115 mV 1.8 W 180 MHz - 55 C + 150 C NSS60201SMT Reel, Cut Tape
onsemi Bipolartransistoren - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
Datenblatt
2 861Auf Lager
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: 3 000

Si SMD/SMT WDFN6 Dual 20 V 20 V 250 mV AEC-Q101 NSS20200DM Reel, Cut Tape
onsemi Bipolartransistoren - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
Datenblatt
2 960Auf Lager
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: 3 000

Si SMD/SMT WDFN-6 NPN Dual 20 V 20 V 7 V 330 mV 2.27 W 180 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 NSS20201DM Reel, Cut Tape
onsemi Bipolartransistoren - BJT 40 V, 3.0A Low VCE(sat) NPN Transistor, Automotive
Datenblatt
2 983Auf Lager
Min.: 1
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: 3 000
LFPAK-4 NSS40301CT Reel, Cut Tape
onsemi Bipolartransistoren - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
Datenblatt
208Auf Lager
6 000erwartet ab 16.06.2026
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT WDFN6 NPN Dual 1 A 60 V 60 V 6 V 200 mV 2.27 W 180 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 NSS60101DMT Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Bipolartransistoren - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A
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38 950Auf Bestellung
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP Single 2 A 60 V 80 V 7 V 180 mV 540 mW 100 MHz - 55 C + 150 C NSS60200LT1G Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Bipolartransistoren - BJT 100 V, 3.0 A Low VCE(sat) NPN Bipolar Junction Transistor, Automotive
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6 000erwartet ab 15.05.2026
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LFPAK-4 NSS1C301CT Reel, Cut Tape
onsemi Bipolartransistoren - BJT COMP 40V NPN/PNP LO
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31 405Auf Bestellung
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: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 NPN, PNP Dual 3 A 40 V 40 V 6 V, 7 V 82 mV, 135 mV 653 mW 100 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 NSS40302P Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Bipolartransistoren - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
Datenblatt
3 000erwartet ab 20.07.2026
Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT WDFN-6 NPN Dual 20 V 20 V 7 V 330 mV 2.27 W 180 MHz - 55 C + 150 C NSS20201DM Reel, Cut Tape

onsemi Bipolartransistoren - BJT 60V PNP LOW VCE(SAT) XTR
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2 655erwartet ab 07.08.2026
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP Single 2 A 60 V 80 V 7 V 170 mV 460 mW 100 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q100 NSS60200LT1G Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Bipolartransistoren - BJT DUAL 60V 2A LOWVCES AT PNP
Datenblatt
11Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT WDFN6 PNP Dual 60 V 60 V 6 V 365 mV 1.8 W 155 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 NSS60200DM Reel, Cut Tape
onsemi Bipolartransistoren - BJT WDFN3 2*2 LOW VCE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT WDFN-3 PNP Single 12 V 12 V 5 V 30 mV 740 mW 200 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 NSS12100UW Reel
onsemi Bipolartransistoren - BJT DUAL MATCHED 40V PNP LOW
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SOIC-8 PNP AEC-Q100 NSS40300MD Reel, Cut Tape
onsemi Bipolartransistoren - BJT SOIC8 MATCHED LO VCE(SAT)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SOIC-8 AEC-Q101 NSS40301MD Reel, Cut Tape, MouseReel