P-Channel MOSFETs

Toshiba P-Channel MOSFETs product offering features P-channel power MOSFETs for load switching in ultra-portable mobile computing devices and battery protection circuits for large capacity batteries. Developed using advanced trench-gate processes and packaging technologies, the P-channel MOSFETs are optimized to provide low on-resistance. These low on-resistance power MOSFETs also offer high current ratings, low capacitance, and high permissible power dissipation within a small form factor to meet the lower voltage and lower power requirements of system power supplies in portable electronics applications.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Toshiba MOSFETs P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI
Datenblatt
10 051Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 20 V 60 A 1.7 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 182 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI
Datenblatt
8 222Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSON-8 P-Channel 1 Channel 20 V 36 A 4.7 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 65 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel