Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode des Modells BID

Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBTs) von Bourns kombinieren die Technologie eines MOSFET-Gates und eines Bipolartransistors und sind für Hochspannungs-/Hochstromanwendungen konzipiert. Die IGBTs des Modells BID verwenden eine fortschrittliche Trench-Gate-Field-Stop-Technologie, um eine bessere Steuerung der dynamischen Eigenschaften zu bieten, was zu einer niedrigeren Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und weniger Schaltverluste führt. Die IGBTs verfügen über einen Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +150°C und sind in TO-252-, TO-247- und TO-247N-Gehäusen verfügbar. Diese thermisch effizienten Bauelemente bieten einen geringeren thermischen Widerstand, wodurch sie sich für IGBT-Lösungen für Schaltnetzteile (SNT), unterbrechungsfreie Stromquellen (USV) und Blindleistungskompensations-Applikationen (PFC) eignen.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Bourns IGBTs IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252
Datenblatt
24 183Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

Si TO-252-3 SMD/SMT Single 600 V 1.5 V - 30 V, 30 V 10 A 82 W - 55 C + 150 C BID Reel, Cut Tape, MouseReel
Bourns IGBTs IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
Datenblatt
6 978Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.7 V - 20 V, 20 V 40 A 192 W - 55 C + 150 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
Datenblatt
2 233Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 100 A 416 W - 55 C + 150 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
Datenblatt
1 187Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 600 V 1.65 V - 20 V, 20 V 60 A 230 W - 55 C + 150 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L
Datenblatt
5 811Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 150 A 394 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
Datenblatt
1 850Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.65 V - 20 V, 20 V 60 A 230 W - 55 C + 150 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, Medium speed switching in TO-247-3L
Datenblatt
2 830Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V 20 V 80 A 230 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, High speed switching in TO-247-3L
Datenblatt
2 967Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 80 A 300 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L
Datenblatt
2 783Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.42 V 20 V 150 A 394 W - 40 C + 175 C BID Tube