1200 V IGBT-Module mit gemeinsamem Emitter

Die 1200 V IGBT-Module mit gemeinsamem Emitter von Infineon Technologies sind Teil des TRENCHSTOP ™ IGBT7-Portfolios, das einen 600 A oder 800 A gemeinsamen Emitter mit niedriger Sättigung und ein schnelles Trench-IGBT-Modul mit einer emitter-gesteuerten Diode kombiniert. Die 1200 V IGBT-Module mit gemeinsamem Emitter bieten eine höhere Strombelastbarkeit in bestehenden Gehäusen und ermöglichen eine höhere Ausgangsleistung des Wechselrichters bei gleicher Rahmengröße. Die 1200 V IGBT-Module mit gemeinsamem Emitter von Infineon bieten eine hohe Leistungsdichte, Zuverlässigkeit und Flexibilität und sind für eine dreistufige Konfiguration vorbereitet.