PWD13F60 Gate-Treiber

STMicroelectronics PWD13F60 Gate-Treiber sind Leistungstreiber mit hoher Dichte und einer Hochspannungs-Vollbrücke mit integrierten Gate-Treibern. Der PWD13F60 Baustein akzeptiert eine Versorgungsspannung über einen weiten Bereich und wird durch eine Niederspannungs-UVLO-Erkennung geschützt. Dieses PWD13F60 Gate-Treiber-Leistungs-System-in-Package und die Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs verfügen über einen niedrigen RDS von 320 mΩ und eine Drain-Source Durchbruchspannung von 600 V. Die PWD13F60 Gate-Treiber ermöglichen eine einfache Anbindung an Mikrocontroller und DSP-Einheiten oder Hall-Effekt-Sensoren mit einem größeren Umfang an Eingangs-Pins. Darüber hinaus verfügen die PWD13F60 Gate-Treiber über eine hohe Treiber-Versorgungsspannung, eine interne Bootstrap-Diode, einen mit dem Eingang gleichphasigen Ausgang und bieten ein flexibles, leichtes und schnelles Design. Das PWD13F60 Bauteil ist in einem 10 mm x 13 mm x 1,0 mm VFQFPN-Gehäuse verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören Fabrikautomatisierung, Motortreiber für Industrie- und Haushaltsgeräte, Lüfter und Pumpen und Netzteile.

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STMicroelectronics Gate-Treiber High-density power driver - high voltage full bridge with integrated gate driver 2 121Auf Lager
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STMicroelectronics Gate-Treiber High-density power driver - high voltage full bridge with integrated gate driver 1 046Auf Lager
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MOSFET Gate Drivers Full-Bridge SMD/SMT 2 Driver 2 Output 8 A 6.5 V 19 V - 40 C + 125 C PWD13F60 Tray