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NTBL023N065M3S

Name: onsemi NTBL023N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBL023N065M3S
Price: 13.87 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTBL023N065M3S

Herst.- Nr.:

NTBL023N065M3S

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SIC MOS TOLL 23MOHM 650V M3S

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NTBL023N065M3S Datenblatt

ECAD Model:

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	€ 10,73	€ 107,30
	€ 9,89	€ 989,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	€ 8,74	€ 17 480,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	H-PSOF-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	77 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	32.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	69 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	312 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9.6 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	SiC MOSFETS
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	15 ns
Serie:	NTBL023N065M3S
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	35 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns

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Datenblatt

NTBL023N065M3S Datenblatt

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTBL023N065M3S Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs

onsemi NTBL023N065M3S Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs sind für anspruchsvolle Leistungsapplikationen ausgelegt. Die NTBL023N065M3S MOSFETs von onsemi verfügen über einen typischen R_DS(on) von 23 mΩ bei V_GS = 18 V, eine extrem niedrige Gate-Ladung (Q_G(tot) = 69 nC) und eine Hochgeschwindigkeitsschaltung mit niedriger Kapazität (C_oss = 152 pF). Die MOSFETs sind vollständig auf Avalanche-Leistung getestet und sind halogenfrei, RoHS-konform mit Ausnahme 7a und bleifrei bei der zweitrangigen Verbindung. Diese SiC-MOSFETs eignen sich hervorragend für Applikationen, wie z. B. Schaltnetzteile (SNT), Solar-Wechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Energiespeichersysteme und Infrastruktur und bieten eine robuste Leistung für moderne Leistungsmanagementanforderungen.