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NVBG070N120M3S

Name: onsemi NVBG070N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG070N120M3S
Price: 14.16 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVBG070N120M3S

Herst.- Nr.:

NVBG070N120M3S

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3

Datenblatt:

NVBG070N120M3S Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	25 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	87 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.4 V
Qg - Gate-Ladung:	57 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	172 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	EliteSiC
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8.8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	12 S
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	12 ns
Serie:	NVBG070N120M3S
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	30 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns

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Datenblatt

NVBG070N120M3S Datenblatt

PCN

Product Change Notification 2025-9-26 (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

M3S EliteSiC-MOSFETs

Die EliteSiC-MOSFETs M3S von onsemi sind Lösungen für Hochfrequenz-Schaltanwendungen mit hartgeschalteten Topologien. Die MOSFETs M3S von onsemi wurden entwickelt, um Leistung und Effizienz zu optimieren. Das Gerät bietet eine bemerkenswerte Reduzierung der Gesamtschaltverluste (Etot) um ~40 % im Vergleich zu den 1200-V-20-mΩ-M1-Modellen. Die EliteSiC-MOSFETs M3S eignen sich perfekt für verschiedene Anwendungen, darunter Solarstromanlagen, Bordladegeräte und Ladestationen für Elektrofahrzeuge (EV).

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Der onsemi NVBG070N120M3S Siliziumkarbid(SiC)-MOSFET ist ein M3S-EliteSiC-Planar-MOSFET von 1.200 V, der für Schnellschaltungs-Applikationen ausgelegt ist. Dieser MOSFET bietet eine optimale Leistung, wenn er mit einem 18-V-Gate-Drive betrieben wird, funktioniert aber auch gut mit einem 15-V-Gate-Drive. Der NVBG070N120M3S SiC-MOSFET zeichnet sich durch eine extrem niedrige Gate-Ladung von 57 nC, eine Hochgeschwindigkeits-Schaltung mit niedriger Kapazität von 57 pF und einen typischen Drain-to-Source-On-Widerstand von 65 mΩ bei V_GS= 18 V aus. Dieser MOSFET ist 100 % Avalanche-getestet, AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig. Der NVBG070N120M3S SiC-MOSFET ist in einem D2PAK-7L-Gehäuse erhältlich und ist bleifrei 2LI (auf der zweiten Ebene der Zusammenschaltung) und RoHS-konform (mit Ausnahme 7a). Typische Applikationen umfassen On-Board- Ladegeräte und DC/DC-Wandler für EV/HEV.