60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs

PANJIT 60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs are a family of 60V, 100V, and 150V AEC-Q101 qualified MOSFETs. The PANJIT 60/100/150V MOSFETs are designed with advanced trench technology for superior performance and efficiency. Ideal for automotive and industrial power systems, these MOSFETs offer an exceptional figure of merit (FOM), significantly lower RDS(ON), and reduced capacitance. These features minimize conduction and switching losses for improved electrical performance. Available in compact packages like DFN3333-8L, DFN5060-8L, DFN5060B-8L, TO-252AA, and TO-220AB-L, these MOSFETs enable efficient design solutions for modern electronics.

Ergebnisse: 26
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
Panjit MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
2 715Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 150 V 40 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
4 433Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 150 V 18 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 22 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
2 579Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 150 V 42 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
2 824Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 150 V 25 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 22 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
1 830Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 150 V 26 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 22 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
2 530Auf Lager
Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 60 V 38 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 16 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
2 900Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 16 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 60 V 168 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 82 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 150 V 65 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 53 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 60 V 66 A 7.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 100 V 59 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 35 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3 000
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: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 100 V 88 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 62 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3 000
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: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 60 V 94 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 40 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5 000
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: 5 000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 60 V 54 A 8.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
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: 5 000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 60 V 36 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 16 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5 000
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: 5 000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 100 V 52 A 11.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 35 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
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: 5 000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 100 V 35 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 190 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 82 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 89 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 40 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 59 A 7.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3 000
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: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 62 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 56 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 150 V 59 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 53 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 Reel