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EVLSTGAP3SXS-H

Name: STMicroelectronics EVLSTGAP3SXS-H
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-EVLSTGAP3SXS-H
Price: 50.31 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-EVLSTGAP3SXS-H

Herst.- Nr.:

EVLSTGAP3SXS-H

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Half-bridge evaluation board for STGAP3SXS SiC MOSFETs isolated gate driver with

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EVLSTGAP3SXS-H Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung
RoHS:
Produkt:	Evaluation Boards
Typ:	Gate Driver
Eingangsspannung:	5 V
Tool für die Evaluierung von:	STGAP3SXS
Serie:	STGAP3SXS
Marke:	STMicroelectronics
Verpackung:	Bulk
Produkt-Typ:	Power Management IC Development Tools
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Development Tools
Gewicht pro Stück:	150 g

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EVLSTGAP3SXS-H Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 9030820000
CAHTS:: 9030820000
USHTS:: 9030820000
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MXHTS:: 9030820100
ECCN:: EAR99

EVLSTGAP3SXS-H Halbbrücken-Evaluierungsboard

Das EVLSTGAP3SXS-H Halbbrücken-Evaluierungsboard von STMicroelectronics ist für die Evaluierung des STGAP3SXS isolierten Einzelgate-Treibers ausgelegt. Der STGAP3SXS zeichnet sich durch eine Strombelastbarkeit von 10 A, Rail-to-Rail-Ausgänge und optimierte UVLO- und DESAT-Schutzschwellenwerte für SiC-MOSFETs aus. Diese Funktion macht das Bauteil optimal für Hochleistungs-Motortreiber in Industrieapplikationen. Der Gate-Treiber verfügt über einen separaten Ausgangspin und eine Treiberleitung für einen externen Miller-Klemmen-n-Kanal-MOSFET. Diese Option optimiert die Unterdrückung von positiven und negativen Gate-Spitzen während schneller Kommutierung in Halbbrücken-Topologien.