OptiMOS™ 6 100-V-Leistungs-MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 100-V-Leistungs-MOSFETs werden in SuperSO8- und PQFN-Gehäusen von 3,3 x 3,3 mm angeboten und sind für Hochschalt-Frequenzapplikationen, wie z. B. Telekommunikations- und Solarapplikationen optimiert, bei denen Verluste mit Ladungen (Schaltung) und Einschaltwiderstand (Leitung) verbunden sind. Darüber hinaus eignet sich das Bauteil aufgrund des erstklassigen RDS(on) und des größeren Sicherheitswirkbereichs (SOA) hervorragend für batteriebetriebene Applikationen (BPA) und Batteriemanagementsysteme (BMS).

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
8 822Auf Lager
Min.: 1
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: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 7.4 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
92Auf Lager
10 000Auf Bestellung
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 179 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 55 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
641Auf Lager
15 000Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 8.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 19 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
81 169Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 230 A 2.24 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 73 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
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19 570Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
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: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 192 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 58 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
29 968Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 97 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 26 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
58 496Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 8.04 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 19 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
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13 828erwartet ab 15.07.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 7.4 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel