CSD17581Q3A NexFET™ Leistungs-MOSFET

Das Texas Instruments CSD17581Q3A NexFET™ Leistungs-MOSFET ist ein 30 V-, 3,2 mΩ-Leistungs-MOSFET mit N-Kanälen. Dieses Gerät wurde entwickelt, um die Verluste bei Stromrichtapplikationen zu minimieren. Dieser MOSFET bietet niedrigen Qg, Qgd, RDS(on) und einen geringen Wärmewiderstand. Diese Eigenschaften machen dieses Gerät ideal für Point-of-Load-Synchron-Abwärtswandler für Applikationen in Netzwerken, Telekommunikations- und Computersystemen. Dieses Gerät funktioniert auch gut für Motorsteuerungsapplikationen und ist optimiert für Steuer-FET-Applikationen.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung

Texas Instruments MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q3AT
Datenblatt
306Auf Lager
7 500erwartet ab 12.03.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 25 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 54 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments MOSFETs 30V N-Channel NexFET A 595-CSD17581Q3A A 595-CSD17581Q3A
Datenblatt
358Auf Lager
250erwartet ab 20.02.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 54 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel