Neueste Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs

STMicroelectronics bietet die neuesten Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs. ST bietet ein großes Portfolio an MOSFETS und IGBTs an, die auf ihre spezifische Applikation zugeschnitten ist und für SNT-, Beleuchtungs-, Motorsteuerungs- und verschiedene Industrieapplikationen ausgelegt sind. Das Portfolio von ST umfasst Hochspannungs-Super-Junction-MOSFETs und Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs für harte und weiche Schalttopologien und Trench-basierte Niederspannungs-MOSFETs für die Leistungsumwandlung und BLDC-Motorantriebe. Die neuesten 1.200-V-SiC-MOSFETs von ST vereinen die branchenweit höchste Sperrschichttemperatur von 200 °C mit einem sehr niedrigen RDS(on)-Bereich (mit minimaler Veränderung gegenüber Temperatur) und einer ausgezeichneten Schaltleistung für effizientere und kompakte SNT-Designs. Für die Motorsteuerung bieten die IGBTs der M-Baureihe einen optimierten Kompromiss von VCE(SAT) und E(off) zusammen mit einer robusten Kurzschlussbeständigkeit. Entdecken Sie das komplette Angebot von ST an MOSFETs und IGBTs für SNT-Designs.

Arten von diskreten Halbleitern
Kategorieansicht ändern
Ergebnisse: 314
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt-Typ
Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
Datenblatt
574Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
Datenblatt
Produkt-Kommentare
653Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS
Datenblatt
441Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
Datenblatt
1 037Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
Datenblatt
1 012Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
Datenblatt
399Auf Lager
1 000erwartet ab 17.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
Datenblatt
207Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected
Datenblatt
1 554Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh
Datenblatt
229Auf Lager
1 000erwartet ab 06.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2
Datenblatt
422Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
Datenblatt
880Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5
Datenblatt
986Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 800V 0.76 Ohm 6AMDmesh K5
Datenblatt
13Auf Lager
1 000erwartet ab 16.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package
Datenblatt
137Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
Datenblatt
344Auf Lager
1 000erwartet ab 02.04.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
Datenblatt
1 076Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
Datenblatt
185Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
Datenblatt
452Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
Datenblatt
258Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo
Datenblatt
400Auf Lager
600erwartet ab 13.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
Datenblatt
591erwartet ab 01.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
Datenblatt
470Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
Datenblatt
311Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs Trench gate H series 650V 80A HiSpd
Datenblatt
74Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics MOSFETs N-chanl 80 V 33 mOhm typ 90 A Pwr MOSFET
Datenblatt
163Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2