Neueste Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs

STMicroelectronics bietet die neuesten Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs. ST bietet ein großes Portfolio an MOSFETS und IGBTs an, die auf ihre spezifische Applikation zugeschnitten ist und für SNT-, Beleuchtungs-, Motorsteuerungs- und verschiedene Industrieapplikationen ausgelegt sind. Das Portfolio von ST umfasst Hochspannungs-Super-Junction-MOSFETs und Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs für harte und weiche Schalttopologien und Trench-basierte Niederspannungs-MOSFETs für die Leistungsumwandlung und BLDC-Motorantriebe. Die neuesten 1.200-V-SiC-MOSFETs von ST vereinen die branchenweit höchste Sperrschichttemperatur von 200 °C mit einem sehr niedrigen RDS(on)-Bereich (mit minimaler Veränderung gegenüber Temperatur) und einer ausgezeichneten Schaltleistung für effizientere und kompakte SNT-Designs. Für die Motorsteuerung bieten die IGBTs der M-Baureihe einen optimierten Kompromiss von VCE(SAT) und E(off) zusammen mit einer robusten Kurzschlussbeständigkeit. Entdecken Sie das komplette Angebot von ST an MOSFETs und IGBTs für SNT-Designs.

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STMicroelectronics MOSFETs N-channel 100 V, 3,4mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pack
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MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 80 V, 0.0028 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
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MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i
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MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i
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1 000erwartet ab 25.02.2026
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET
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1 000erwartet ab 10.02.2026
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII
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3 339erwartet ab 13.04.2026
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2
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6 000erwartet ab 06.04.2026
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-2x2-6
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 800V 2.1Ohm typ 2.5A Zener-protecte
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 150
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-220 package
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect
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1 000erwartet ab 09.03.2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 80 V 3.5 mOhm typ 90 A
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 100 V 0 013 Ohm typ 45 A
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3