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SIHR080N60E-T1-GE3

Name: Vishay SIHR080N60E-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHR080N60ET1GE3
Price: 6.16 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIHR080N60ET1GE3

Herst.- Nr.:

SIHR080N60E-T1-GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs N-CHANNEL 600V

Datenblatt:

SIHR080N60E-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	€ 2,99	€ 5 980,00
	€ 2,85	€ 11 400,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	51 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	74 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	42 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	500 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerPAK
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	31 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	4.6 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	96 ns
Serie:	SIHR E
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	37 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	31 ns

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Datenblatt

SIHR080N60E-T1-GE3 Datenblatt

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiHR080N60E n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der Vishay/Siliconix SiHR080N60E n-Kanal-Leistungs-MOSFET ist ein A -600 V Leistungs-MOSFET der 4. Generation der E-Baureihe in einem PowerPAK-8® x 8LR-Gehäuse. Der MOSFET bietet einen höheren Wirkungsgrad und eine höhere Leistungsdichte für Telekommunikations-, Industrie- und Computer-Applikationen. Der SiHR080N60E verfügt über einen niedrigen typischen On-Widerstand von 0,074Ω bei 10 V und eine extrem niedrige Gate-Ladung bis hinunter zu 42 nC, was zu reduzierten Leitungs- und Schaltverlusten führt, die Energie sparen und den Wirkungsgrad in Leistungssystemen >2 kW erhöhen. Darüber hinaus bietet das Gehäuse eine Kelvin-Verbindung für einen verbesserten Schaltwirkungsgrad. Der SiHR080N60E von Vishay/Siliconix ist für Überspannungstransienten im Avalanche-Modus mit garantierten Grenzwerten durch 100 % UIS-Tests ausgelegt.