FGHL50T65MQDTx Field-Stop-Trench-IGBTs

onsemi FGHL50T65MQDTx Field-Stop-Trench-IGBTs sind eine IGBT-Technologie der 4. Generation mit mittlerer Geschwindigkeit, die mit einer vollständigen Nennstromdiode bestückt sind. Diese IGBTs werden bei einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175 °C betrieben. Die Funktionen umfassen eine weiche und optimierte Schaltung, eine hohe Strombelastbarkeit und eine strikte Parameterverteilung. Typische Applikationen umfassen Solarwechselrichter, UVS, ESS, Wandler und FPS.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung

onsemi IGBTs IGBT - 650 V 50 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode
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1 874Auf Lager
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGHL50T65MQDT Tube

onsemi IGBTs IGBT - 650 V 50 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode
Datenblatt
321Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGHL50T65MQDTL4 Tube