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STGSH80HB65DAG

Name: STMicroelectronics STGSH80HB65DAG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGSH80HB65DAG
Price: 16.69 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGSH80HB65DAG

Herst.- Nr.:

STGSH80HB65DAG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Automotive ACEPACK SMIT half-bridge 650 V, 80 A HB series IGBT with diode

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Datenblatt:

STGSH80HB65DAG Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 16,69	€ 16,69
	€ 11,94	€ 119,40
	€ 10,84	€ 1 084,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 200)
	€ 10,84	€ 2 168,00
	€ 9,72	€ 3 888,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	ACEPACK-5
Montageart:	SMD/SMT
Konfiguration:	Dual
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	2.1 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	83 A
Pd - Verlustleistung:	250 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Kriechstrom Gate-Emitter:	800 nA
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	200
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	8,200 g

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Datenblatt

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PCN

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STGSH80HB65DAG 650 V 80 A HB-Baureihe IGBT

STMicroelectronics STGSH80HB65DAG 650V 80A IGBT der Serie HB enthält zwei IGBTs und Dioden in einem kompakten, robusten, oberflächenmontierten Gehäuse. Der STGSH80HB65DAG IGBT von STMicroelectronics ist für eine weiche Kommutierung optimiert, wodurch Leitungs- und Schaltverluste minimiert werden. Jeder Schalter enthält eine Freilaufdiode mit geringem Abfall, wodurch er sich ideal für effiziente Resonanz- und Soft-Switching-Anwendungen eignet.